金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海澜芯半导体有限公司申请一项名为“具有BSG侧壁的沟槽超结MOSFET的结构及工艺方法”的专利，公开号CN 119743991 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种具有BSG侧壁的沟槽超结MOSFET的原胞结构及工艺方